美光科技领涨亚洲半导体ADR夜盘，AI芯片需求提振板块情绪
2026年7月25日美股盘后至26日凌晨，亚洲半导体企业美国存托凭证（ADR）表现分化，其中存储芯片巨头美光科技（MU）大涨5.2%，领涨板块；台积电（TSM）上涨1.1%，三星电子（SSNLF）微涨0.3%，而中芯国际（SMICY）下跌0.8%。整体而言，AI相关芯片需求持续提振市场信心，但部分成熟制程代工厂仍面临产能利用率压力。
美光科技：AI存储订单激增推动业绩预期
美光科技在25日盘后宣布，其HBM3E高带宽存储芯片已获得两家大型云服务商的紧急追加订单，总价值约12亿美元，预计在2026年第四季度开始交付。受此消息影响，美光ADR当日放量上涨，成交额较20日均值高出40%。花旗银行分析师Christopher Danely在报告中指出：“美光在HBM领域的领先地位正转化为实质营收，AI大模型训练对高带宽存储的渴求远超预期，预计美光2027财年来自AI的营收占比将突破30%。”此外，美光还透露其1γ纳米DRAM制程良率已爬升至90%以上，进一步巩固了成本优势。
与此同时，韩国存储巨头三星电子虽然ADR涨幅较小，但公司内部消息人士透露，三星平泽P4工厂已开始量产第六代V-NAND，并计划在下半年将HBM3E产能提升两倍。市场普遍认为，存储芯片涨价周期已从DRAM扩展至NAND，三星有望受益于企业级SSD需求回暖。
台积电：3nm稼动率满载，CoWoS产能持续扩充
台积电ADR在夜盘交易中上涨1.1%，盘中一度触及历史新高。消息面上，台积电宣布其3nm（N3E）制程在2026年第二季度实现100%稼动率，主要客户包括苹果、英伟达和AMD的AI加速器芯片订单。为应对需求，台积电已规划将3nm月产能从目前的15万片提升至18万片，预计2027年初投产。此外，CoWoS先进封装产能扩建进度符合预期，竹南AP6厂已完成设备安装，新增月产能8000片，使台积电总CoWoS月产能突破4万片。天风国际分析师郭明錤预测，2026年台积电AI相关收入占比将从2025年的28%升至35%。
中芯国际：成熟制程承压，营收指引不及预期
中芯国际ADR小幅下跌0.8%，报收于24.05美元。公司25日盘后发布2026年第二季度未经审计业绩：营收18.9亿美元，同比增长12%，但环比仅增长1.5%；毛利率为25.3%，略低于市场预期的26%。管理层在财报电话会议上表示，虽然28nm及以上制程的订单饱满，但90nm以下成熟制程产线产能利用率下滑至78%，主要受MCU、显示驱动芯片等需求疲软影响。对于第三季度，公司给出营收环比增长2%-4%的指引，低于分析师预测的5%。
不过，国产替代逻辑仍为中芯国际提供一定支撑。据集微网报道，国内一家头部汽车芯片厂商已将其CIS传感器订单从中芯国际转单至其他代工厂，但医疗、物联网领域增长较快。中银国际分析师认为：“中芯国际短期承压，但长期受益于中国半导体自主化进程，预计2027年其深圳12英寸厂将贡献显著增量。”
行业动态：亚洲半导体政策与产能调整
政策层面，日本经济产业省26日宣布将向Rapidus追加补贴1800亿日元，用于2nm制程研发。马来西亚则推出“国家半导体战略2.0”，计划未来五年吸引500亿林吉特投资，聚焦先进封装和EDA工具。产能方面，联电宣布其新加坡12i晶圆厂已于7月正式量产，初期月产能3万片，主要生产22/28nm制程，瞄准通信和物联网市场。此外，SK海力士清州M15X工厂建设进度加快，预计2027年投产，届时将新增HBM产能70%。
市场价格异动：存储芯片现货价微涨
根据DRAMeXchange数据，7月26日DDR5 16Gb DRAM现货均价上涨0.3%至4.25美元，DDR4 8Gb持平于2.10美元。NAND方面，512Gb TLC颗粒上涨0.5%至2.88美元，企业级SSD价格承压。市场分析指出，原厂控产挺价策略持续生效，但下游PC和手机需求复苏缓慢，可能限制涨幅。
后市展望：AI叙事仍是主线
多家投行在最新报告中强调，亚洲半导体板块短线可能出现获利回吐，但AI驱动的结构性增长趋势不变。高盛分析师张慧在报告中写道：“我们建议超配存储、先进制程代工和HPC封装相关标的，台积电、美光、SK海力士仍是核心持仓。同时关注日本半导体设备股如东京电子、Disco，受益于亚洲产能扩张。”然而，仍需警惕美国对华半导体出口管制可能升级的风险，以及消费电子需求不及预期的拖累。
截至发稿，亚洲市场开盘前，日韩半导体股期货小幅走强，预计26日亚洲芯片股将呈震荡偏强格局。
