2026年7月29日，亚洲半导体ADR隔夜行情普遍走高，其中韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）凭借强劲的HBM（高带宽存储器）订单表现领涨板块，带动三星电子、美光科技等其他存储厂商的ADR同步上扬。截至纽约时间7月28日收盘，SK海力士ADR上涨5.8%，报收于182.40美元，创下近三个月来最大单日涨幅。

HBM需求持续爆发，SK海力士核心受益

SK海力士此次领涨的直接驱动力来自AI芯片对HBM的旺盛需求。据行业研究机构TrendForce最新报告，2026年第二季度全球HBM市场规模环比增长28%，其中SK海力士凭借第五代HBM3E产品的先发优势，占据了全球HBM市场约55%的份额。公司近期宣布，其HBM产能已被英伟达、AMD等主要AI芯片客户预订至2027年第一季度，客户预付款规模创历史新高。

SK海力士CEO郭鲁正在7月28日的投资者电话会议上表示：“我们正在加速扩建韩国利川和中国无锡的HBM专用封装线，预计到2027年底总产能将较2025年翻两倍。”这一积极展望直接提振了投资者对存储半导体周期的信心。

亚洲存储板块集体走强

受SK海力士带动，其他存储巨头ADR亦表现不俗。三星电子（Samsung Electronics）ADR上涨2.3%，美光科技（Micron Technology）ADR上涨1.9%。分析人士指出，存储芯片行业正在经历从传统DRAM/NAND向高附加值HBM/企业级SSD的结构性转变，SK海力士的强劲业绩反映出AI算力基础设施对存储器的巨大拉动作用。

值得注意的是，SK海力士在7月24日公布的2026年第二季度财报显示，公司营收同比增长42%至18.3万亿韩元，其中HBM贡献收入占比首次突破40%。净利润同比增长58%至5.2万亿韩元，均超出市场预期。财报发布后，多家华尔街投行上调SK海力士目标价，其中摩根士丹利将其目标价从200美元上调至230美元。

行业解读：HBM成为半导体周期新引擎

在过去几年，半导体行业经历了典型的下行周期（2023年）和复苏周期（2024-2025年），而2026年行业已进入新一轮增长阶段。与传统PC、手机等消费电子驱动不同，本轮周期的主要动力来自AI基础设施和智能驾驶等新兴领域。

市场研究机构Gartner半导体分析师林秀美认为：“HBM是当前半导体产业链中增长最确定、毛利最高的细分品类。SK海力士和三星两大韩国巨头在该领域占据技术领先地位，而中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）也在加速追赶。HBM的供需格局将持续紧张，预计到2028年HBM市场规模将突破500亿美元。”

不过，亦有分析师提醒短期风险。美国银行在最新研报中指出，SK海力士股价年内已累计上涨65%，部分反映了HBM乐观预期。若主要客户AI芯片出货量出现波动，存储板块可能面临回调压力。

亚洲半导体ADR整体表现

除存储板块外，亚洲其他半导体个股ADR也多数上涨。台积电（TSMC）ADR微涨0.3%，中芯国际（SMIC）ADR下跌1.1%（受成熟制程竞争影响），日本东京电子（Tokyo Electron）ADR上涨1.5%。整体看，费城半导体指数（SOX）隔夜上涨1.8%，亚洲半导体ADR表现略优于大盘。

  • SK海力士（SK Hynix）：+5.8%，HBM订单创纪录
  • 三星电子（Samsung）：+2.3%，受益存储价格回升
  • 美光科技（Micron）：+1.9%，HBM3E产能爬坡
  • 联发科（MediaTek）：+0.7%，终端芯片需求复苏
  • 中芯国际（SMIC）：-1.1%，成熟制程价格战

展望后市，投资者需密切关注下周将公布的SK海力士第三季度业绩展望，以及英伟达、AMD等核心客户的资本开支计划。HBM产业链仍将是亚洲半导体最值得跟踪的投资主线之一。